IGBT模块结温测量及电磁干扰研究

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IGBT模块结温测量及电磁干扰研究
论文目录
 
摘要第1-5页
abstract第5-9页
第一章 绪论第9-16页
  1.1 课题背景与研究意义第9-10页
    1.1.1 课题背景第9页
    1.1.2 课题研究意义第9-10页
  1.2 国内外研究现状第10-14页
    1.2.1 IGBT结温测量研究现状第10-13页
    1.2.2 IGBT电磁干扰研究现状第13-14页
  1.3 本文的研究内容第14-16页
第二章 IGBT的工作原理及传热分析第16-26页
  2.1 IGBT的基本原理第16-20页
    2.1.1 IGBT的芯片工作原理第16-17页
    2.1.2 IGBT的电路符号与等效电路第17-18页
    2.1.3 IGBT的输出特性与转移特性第18-20页
  2.2 IGBT的基本结构第20-22页
    2.2.1 IGBT模块的外部结构与电路原理图第20页
    2.2.2 IGBT模块的层状结构第20-22页
  2.3 IGBT的功率损耗第22-23页
  2.4 IGBT模块的传热分析第23-25页
  2.5 本章小结第25-26页
第三章 基于V_(eE-peak)的 IGBT模块结温测量方法研究第26-42页
  3.1 IGBT模块寄生参数分析与提取第26-28页
    3.1.1 IGBT模块的寄生参数分析第26-27页
    3.1.2 IGBT模块的寄生参数提取第27-28页
  3.2 寄生参数对IGBT关断过程影响第28-31页
    3.2.1 寄生参数对IGBT关断过程影响的仿真第28-30页
    3.2.2 寄生参数对IGBT关断过程影响的理论分析第30-31页
  3.3 关断过程中V_(eE-peak)的影响因素分析第31-34页
    3.3.1 关断过程中V_(eE-peak)随结温的变化分析第31-33页
    3.3.2 关断过程中V_(eE-peak)随集电极电流I_c变化的分析第33-34页
  3.4 IGBT模块离线测试实验验证第34-41页
    3.4.1 在不同的结温T_j下V_(eE-peak)的测量结果第35-36页
    3.4.2 在不同的集电极电流I_c下V_(eE-peak)的测量结果第36-37页
    3.4.3 基于V_(eE-peak)的 IGBT结温预测模型第37-40页
    3.4.4 IGBT模块结温预测模型的验证第40-41页
  3.5 本章小节第41-42页
第四章 IGBT模块的电磁干扰特性研究第42-55页
  4.1 电磁干扰产生机理及测试方法第42-45页
    4.1.1 电磁干扰第42-43页
    4.1.2 IGBT模块传导电磁干扰的形成机理第43-44页
    4.1.3 传导电磁干扰测试方法第44-45页
  4.2 结温升高对IGBT开关过程的影响第45-48页
    4.2.1 结温升高对IGBT开通过程的影响第45-47页
    4.2.2 结温升高对IGBT关断过程的影响第47-48页
  4.3 IGBT工作暂态的频域分析第48-50页
  4.4 实验测试第50-54页
    4.4.1 实验设计及测试平台搭建第50-51页
    4.4.2 实验方法第51-52页
    4.4.3 实验结果第52-54页
  4.5 本章小结第54-55页
第五章 总结与展望第55-57页
  5.1 论文总结第55-56页
  5.2 后续研究工作展望第56-57页
参考文献第57-62页
发表论文和科研情况说明第62-63页
致谢第63页

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