IGBT模块的物理建模及关键技术研究

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IGBT模块的物理建模及关键技术研究
论文目录
 
摘要第1-5页
abstract第5-9页
第一章 绪论第9-13页
  1.1 课题研究背景和意义第9-10页
  1.2 国内外研究现状第10-12页
    1.2.1 IGBT器件建模的研究现状第10-11页
    1.2.2 IGBT模块封装电路模型的研究现状第11-12页
  1.3 本文主要研究内容第12-13页
第二章 IGBT模块的基本结构和工作原理第13-22页
  2.1 IGBT模块的基本结构第13-16页
    2.1.1 IGBT芯片内部结构第13-14页
    2.1.2 IGBT模块封装结构第14-16页
  2.2 IGBT模块基本特性第16-19页
    2.2.1 静态特性第16-17页
    2.2.2 动态特性第17-19页
  2.3 IGBT的主要技术参数第19-21页
  2.4 本章小结第21-22页
第三章 基于双极扩散方程的IGBT芯片物理模型第22-44页
  3.1 基于硅材料的半导体物理基础理论第22-28页
    3.1.1 本征载流子浓度和掺杂第22-24页
    3.1.2 载流子在半导体中的运动第24-27页
    3.1.3 PN结的形成及特性第27-28页
  3.2 IGBT芯片物理模型第28-34页
    3.2.1 IGBT物理模型建立第28-30页
    3.2.2 IGBT芯片内部等效电路模型第30-32页
    3.2.3 IGBT载流子电流计算第32-33页
    3.2.4 双极扩散方程(ADE)第33-34页
  3.3 IGBT芯片物理模型的仿真求解及实验验证第34-43页
    3.3.1 向后差分法第34-37页
    3.3.2 基于ADE方程的IGBT芯片物理模型的实验验证第37-41页
    3.3.3 模型优化—完美匹配法第41-43页
  3.4 本章小结第43-44页
第四章 IGBT模块内部寄生参数的提取第44-57页
  4.1 IGBT模块封装结构第44-45页
  4.2 IGBT模块寄生参数提取原理第45-51页
    4.2.1 串并联谐振理论第45-46页
    4.2.2 二端口网络理论第46-49页
    4.2.3 寄生参数提取原理第49-51页
  4.3 IGBT封装结构寄生参数提取和仿真结果第51-56页
    4.3.1 提取IGBT封装电路中寄生电感第51-54页
    4.3.2 提取IGBT封装电路中的寄生电容第54-56页
  4.4 本章小结第56-57页
第五章 总结与展望第57-58页
参考文献第58-62页
发表论文和科研情况说明第62-63页
致谢第63页

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