IGBT功率模块键合线失效分析与研究

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IGBT功率模块键合线失效分析与研究
论文目录
 
摘要第1-5页
abstract第5-9页
第一章 绪论第9-16页
  1.1 课题的背景及研究意义第9-11页
    1.1.1 课题的背景第9页
    1.1.2 课题的研究意义第9-11页
  1.2 国内外研究现状第11-14页
    1.2.1 热-力特性研究现状第11-12页
    1.2.2 IGBT模块封装级失效研究现状第12-13页
    1.2.3 IGBT模块键合线失效的状态监测研究现状第13-14页
  1.3 论文主要工作及章节安排第14-16页
    1.3.1 论文主要研究内容第14页
    1.3.2 章节安排第14-16页
第二章 基于多物理场的键合线可靠性分析第16-26页
  2.1 键合线失效机理分析第16页
  2.2 IGBT模块电-热-应力场耦合分析第16-17页
  2.3 有限元数值模拟第17-25页
    2.3.1 电-热耦合分析第18-21页
    2.3.2 热-应力耦合分析第21-23页
    2.3.3 键合点脱落的有限元模型分析第23-25页
  2.4 本章小结第25-26页
第三章 键合线故障对IGBT性能影响分析第26-42页
  3.1 IGBT模块的工作原理第26-31页
    3.1.1 IGBT芯片内部结构及其机理分析第26-28页
    3.1.2 IGBT模块的动态开关过程第28-31页
  3.2 键合线故障对模块内部寄生参数的影响第31-38页
    3.2.1 键合线故障对集电极-发射极间的寄生电感的影响第32-34页
    3.2.2 键合线故障对门极电容的影响第34-38页
  3.3 键合线故障对外部电信号的影响第38-41页
    3.3.1 键合线故障对门极电压的影响第38-40页
    3.3.2 键合线故障对关断电流的影响第40页
    3.3.3 键合线故障对通态压降的影响第40-41页
  3.4 本章小结第41-42页
第四章 基于结温补偿的IGBT键合线失效监测方法第42-52页
  4.1 结温补偿方法第42-45页
    4.1.1 内部互联材料等效电阻分析第42-43页
    4.1.2 结温补偿原理第43-44页
    4.1.3 相关系数的获取第44-45页
  4.2 结温补偿方法的实验验证第45-47页
  4.3 IGBT模块键合线失效监测第47-51页
    4.3.1 失效基准的设置第47-50页
    4.3.2 失效监测流程第50-51页
  4.4 本章小结第51-52页
第五章 总结与展望第52-54页
  5.1 论文工作总结第52页
  5.2 后续研究工作与展望第52-54页
参考文献第54-58页
发表论文和科研情况说明第58-59页
致谢第59页

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