晶圆级MoS_2及其阵列器件的可控制备研究

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晶圆级MoS_2及其阵列器件的可控制备研究
论文目录
 
摘要第1-5页
abstract第5-8页
第一章 绪论第8-26页
  1.1 引言第8-13页
    1.1.1 摩尔定律的预言第8-10页
    1.1.2 新型纳米尺度材料带来的机遇和挑战第10-13页
  1.2 晶圆级二维MoS_2纳米薄膜的制备方法第13-19页
    1.2.1 化学气相沉积法(CVD)第14-15页
    1.2.2 溶液热解法第15-16页
    1.2.3 金属有机化学气相沉积(MOCVD)第16-17页
    1.2.4 分子束外延(MBE)第17-18页
    1.2.5 磁控溅射法第18-19页
  1.3 晶圆级MoS_2薄膜的电学及光电应用第19-24页
    1.3.1 基于MoS_2的场效应晶体管(FET)阵列第19-21页
    1.3.2 大面积MoS_2柔性透明器件的集成第21页
    1.3.3 基于晶圆级MoS_2薄膜的异质结第21-23页
    1.3.4 基于MoS_2的忆阻器件第23-24页
  1.4 本文的研究内容第24-26页
第二章 MoS_2薄膜及其阵列器件的制备与表征第26-36页
  2.1 MoS_2 薄膜制备第26-27页
    2.1.1 离子束溅射制备钼膜前驱体第26-27页
    2.1.2 热硫化法合成MoS第27页
  2.2 薄膜物理化学特性表征及晶体结构分析第27-32页
    2.2.1 钼膜的微观形貌表征及晶体结构分析第28-29页
    2.2.2 MoS_2 薄膜的表面形貌表征第29-30页
    2.2.3 MoS_2 薄膜的分子结构表征第30页
    2.2.4 MoS_2 薄膜组分及键能分析第30-31页
    2.2.5 MoS_2 薄膜晶体结构表征第31-32页
  2.3 MoS_2 背栅晶体管阵列器件的制备及测试第32-36页
    2.3.1 栅控制极制作第32-33页
    2.3.2 薄膜转移第33页
    2.3.3 源漏电极的制备第33-35页
    2.3.4 器件电学性能及阵列器件一致性测试第35-36页
第三章 晶圆级、层数可控MoS_2薄膜的制备第36-53页
  3.1 钼金属薄膜前驱体的制备第36-38页
    3.1.1 磁控溅射法第37-38页
    3.1.2 离子束溅射制备钼膜第38页
  3.2 热蒸汽硫化钼膜制备晶圆级MoS_2薄膜第38-45页
    3.2.1 升温速率对MoS_2晶体结构的影响第39-44页
    3.2.2 硫化温度对MoS_2晶体结构的影响第44-45页
  3.3 MoS_2 薄膜可控层数的制备第45-50页
    3.3.1 钼膜厚度与MoS_2薄膜厚度的关系第45-46页
    3.3.2 MoS_2 薄膜的厚度表征第46-50页
  3.4 大面积MoS_2晶体缺陷分析第50-52页
  3.5 本章小结第52-53页
第四章 MoS_2阵列器件的制备及传输特性研究第53-67页
  4.1 MoS_2 背栅FET阵列器件第53-55页
    4.1.1 背栅FET阵列器件的基本结构第53页
    4.1.2 背栅FET阵列器件的制作与测试第53-55页
  4.2 MoS_2 层数对器件电学性能影响的研究第55-63页
    4.2.1 层数对背栅FET载流子迁移率的影响第56-58页
    4.2.2 层数对沟道电阻的影响第58-60页
    4.2.3 MoS_2 光电晶体管的光电效应第60-62页
    4.2.4 层数对MoS_2-FET光电流的影响第62-63页
  4.3 MoS_2 传输机制的研究第63-65页
    4.3.1 缺陷对MoS_2电学特性的影响第63-64页
    4.3.2 MoS_2 结构缺陷对光电效应的影响第64-65页
  4.4 本章小结第65-67页
第五章 总结与展望第67-69页
  5.1 本文总结第67-68页
  5.2 展望第68-69页
参考文献第69-77页
发表论文和科研情况说明第77-78页
致谢第78页

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